參數(shù)資料
型號： IRFR9214
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： P通道表面貼裝HEXFET功率MOSFET的性（P溝道表貼型的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 107K
代理商： IRFR9214
IRFR/U9214
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
DRIVER
A
15V
-20V
-
DD
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
TOP
BOTTOM
-1.3A
-1.8A
-2.8A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFRU9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFR9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFU9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
IRFS11N50A SMPS MOSFET
IRFS31N20DPBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on)max = 0.082ヘ , ID = 31A )
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFR9214PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9214TR 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9214TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9214TRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9214TRPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 250V 2.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*