參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR9110PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 10/10頁(yè)
文件大小： 1814K
代理商： IRFR9110PBF
10
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12/04
# $ "
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
FEED DIRECTION
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
16 mm
13 INCH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFu9110PBF HEXFET Power MOSFET
IRFR9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFU9110 3.1A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(3.1A, 100V, 1.200 Ω, P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFR9220PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRFR9110TF 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFR9110TM 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
IRFR9110TR 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFR9110TRA 制造商:KERSEMI 制造商全稱(chēng):Kersemi Electronic Co., Ltd. 功能描述:Power MOSFET
IRFR9110TRL 功能描述:MOSFET P-Chan 100V 3.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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