參數(shù)資料
型號： IRFR9024N
廠商： International Rectifier
英文描述： P Channel Surface Mount HEXFET Power MOSFET(P溝道表貼型HEXFET功率MOS場效應管)
中文描述： P通道表面貼裝HEXFET功率MOSFET的性（P溝道表貼型的HEXFET功率馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRFR9024N
IRFR/U9024N
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
DRIVER
A
15V
-20V
-
DD
25
50
75
100
125
150
0
20
40
60
80
100
120
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
-3.0A
-4.2A
-6.6A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFRU9214 HA1L-M1C53-G L6 Ovrsz ILL PB Rnd Flsh Mom SPDT 12V LED Sldr
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IRFR9310 Power MOSFET(Vdss=-400V, Rds(on)=7.0ohm, Id=-1.8A)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFR9024NTR 功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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