參數(shù)資料
型號(hào)： IRFR3707
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=13mohm, Id=61A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 13mohm，身份證\u003d 61A條）
文件頁(yè)數(shù)： 2/11頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： IRFR3707
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
–––
–––
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
71
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.023
–––
7.5
9.5
10
12.5
1.80
2.25
-5.0
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
9.6
14
2.6
–––
0.90
–––
3.5
–––
2.6
–––
4.4
–––
5.8
–––
8.0
–––
11
–––
12
–––
3.3
–––
1150
–––
260
–––
120
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
V
SD
Diode Forward Voltage
t
rr
Reverse Recovery Time
Q
rr
Reverse Recovery Charge
t
on
Forward Turn-On Time
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
56
A
–––
–––
220
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
25
17
1.0
38
26
V
ns
nC
MOSFET symbol
V
GS
= 4.5V, I
D
= 12A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
–––
V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
T
J
= 25°C, I
F
= 12A, V
DD
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Clamped Inductive Load
V
DS
= 15V, I
D
= 12A
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V
V
DD
= 16V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 12A
V
DS
= 15V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 15A
Conditions
5.0
Max.
42
12
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