參數(shù)資料
型號： IRFR3518
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 555K
代理商： IRFR3518
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
80
160
240
320
Starting Tj, Junction Temperature
( C)
E
A
ID
7.3A
13A
18A
TOP
BOTTOM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU3518 HEXFET Power MOSFET
IRFR3704Z CONN RGT ANGLE HDR 12
IRFU3704Z HEXFET Power MOSFET
IRFR3704 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
IRFU3704 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.5mohm, Id=75A)
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