參數(shù)資料
型號： IRFR1N60A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=7.0ohm, Id=1.4A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）最大值\u003d 7.0ohm，身份證\u003d 1.4A的）
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大小： 181K
代理商： IRFR1N60A
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
0.88
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
9.8
–––
14
–––
18
–––
20
–––
229
–––
32.6
–––
2.4
–––
320
–––
11.5
–––
130
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 0.84A
I
D
= 1.4A
V
DS
= 400V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 250V
I
D
= 1.4A
R
G
= 2.15
R
D
= 178
,See Fig. 10
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
14
2.7
8.1
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
GS
= 10V, I
D
= 0.84A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
(BR)DSS
R
DS(on)
V
GS(th)
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
–––
7.0
4.0
25
250
100
-100
V
V
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
93
1.4
3.6
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 1.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.4A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
290
510
1.6
440
760
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
1.4
5.6
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
3.5
50
110
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB mount)
Junction-to-Ambient
°C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFU1N60A ER 6C 6#16S PIN PLUG
IRFR214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU214 2.2A, 250V, 2.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
IRFR214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=2.2A)
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參數(shù)描述
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