參數(shù)資料
型號： IRFR12N25D
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 115K
代理商： IRFR12N25D
2
www.irf.com
IRFR12N25D/IRFU12N25D
Parameter
Min. Typ. Max. Units
6.8
–––
–––
23 35 I
D
= 8.4A
–––
5.8
8.7
–––
12
19
–––
9.1
–––
–––
25
–––
–––
16
–––
–––
9.2
–––
–––
810
–––
–––
130
–––
–––
22
–––
–––
1100
–––
–––
50
–––
–––
130
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 8.4A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 200V
V
GS
= 10V,
V
DD
= 125V
I
D
= 8.4A
R
G
= 6.8
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 200V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 200V
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
250
8.4
14
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 8.4A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 8.4A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
140
710
1.5
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
14
56
A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.29
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
250
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.26
5.0
25
250
100
-100
V
V
GS
= 10V, I
D
= 8.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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