參數(shù)資料
型號(hào): IRFPS29N60L
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù): 8/9頁
文件大?。?/td> 169K
代理商: IRFPS29N60L
8
www.irf.com
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
Fig 16.
For N-Channel HEXFET Power MOSFETs
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFPS35N50L 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRFPS3810 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A)
IRFPS3815 STRAIN RELIEF, 1/4" JACK, WHITE; For use with:C-Series Plugs; Colour:White; Connector type:Backshell RoHS Compliant: Yes
IRFPS38N60L SMPS MOSFET
IRFPS40N50L Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFPS29N60LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 29 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS30N60K 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS30N60KPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFPS35N50L 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRFPS35N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 34 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube