參數(shù)資料
型號(hào)： IRFL4315
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 122K
代理商： IRFL4315
IRFL4315
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
3.5
–––
–––
12
–––
2.1
–––
6.8
–––
8.4
–––
21
–––
20
–––
19
–––
420
–––
100
–––
25
–––
720
–––
48
–––
98
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 1.6A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
19 I
D
= 1.6A
3.1
nC
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
–––
–––
–––
S
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V
V
DD
= 75V
I
D
= 1.6A
R
G
= 15
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
38
3.1
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.1A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 1.6A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
61
160
1.5
91
240
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.6
21
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.19 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
3.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
150
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
–––
–––
–––
–––
–––
185
5.0
25
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 1.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFM044 60V, N-CHANNEL
IRFM064 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM260 TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=200V, Rds(on)=0.060ohm, Id=35A*)
IRFM440 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
IRFM460 POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA)
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參數(shù)描述
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IRFL4315PBF 功能描述:MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL4315TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL5505 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 3.4A I(D) | SOT-223
IRFL640 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
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