參數(shù)資料
型號： IRFL014NTR
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 2.7A I(D) | SOT-223
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 2.7AI（四）|的SOT - 223
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大小： 174K
代理商： IRFL014NTR
IRFL014N
www.irf.com
5
+
-
V
DS
10V
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
V
DD
R
G
D.U.T.
10V
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
Fig 9a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 9b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2
2. Peak T = P x Z thJA
A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFL024NTR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4A I(D) | SOT-223
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IRFB30N20D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB
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參數(shù)描述
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