| 型號： |
IRFH5406TR2PBF |
| 廠商： |
International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： |
1/8頁 |
| 文件大?。?/td>
| 0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 60V 40A 5X6 PQFN |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： |
IR Hexfet PQFN
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| 特色產(chǎn)品： |
Mid-Voltage Power MOSFETs
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1 |
| 系列： |
HEXFET® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
11A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
14.4 毫歐 @ 24A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
4V @ 50µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
35nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1256pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
3.6W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
8-PowerVQFN
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
PQFN（5x6）
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| 包裝： |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： |
IRFH5406TR2PBFDKR
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