參數(shù)資料
型號： IRFD420
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 500V及的Rds（on）\u003d 3.0ohm，身份證\u003d 0.37A）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 468K
代理商： IRFD420
IRFD420
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
C
V
G
,
I
S
,
I
D
,
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD9020 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9022 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9120 1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET(1.0A, 100V, 0.6 Ω, P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
IRFD9220 0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRFD9220 Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-0.56A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD420PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9010PBF 功能描述:MOSFET P-Chan 50V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD9012 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
IRFD9014 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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