參數(shù)資料
型號(hào): IRFD224
廠商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
中文描述: 功率MOSFET(減振鋼板基本\u003d 250V,的Rds(on)\u003d 1.1ohm,身份證\u003d 0.63A)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 467K
代理商: IRFD224
IRFD224
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
To Order
Next Data Sheet
Index
Previous Datasheet
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD310 0.4A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFD310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A)
IRFD420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
IRFD9020 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9022 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD224PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.63 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD2Z0 制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRFD2Z1 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 320MA I(D) | TO-250VAR
IRFD2Z2 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR
IRFD2Z3 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR