參數(shù)資料
型號： IRFD214
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V，的Rds（on）\u003d 2.0ohm，身份證\u003d 0.45A）
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 497K
代理商： IRFD214
IRFD214
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
E
A
,
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
IRFD310 0.4A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFD310 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A)
IRFD420 Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)
IRFD9020 HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD214PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.45 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220119 制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRFD220PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD220R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR
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