參數(shù)資料
型號(hào)： IRFD1Z0
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述： 500 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 57K
代理商： IRFD1Z0
5-6
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 15. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
V
GS
R
L
R
G
DUT
+
-
V
DD
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
0.3
μ
F
12V
BATTERY
50k
V
DS
S
DUT
D
G
I
G(REF)
0
(ISOLATED
SUPPLY)
V
DS
0.2
μ
F
CURRENT
REGULATOR
I
D
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
I
G
CURRENT
SAMPLING
RESISTOR
SAME TYPE
AS DUT
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
IRFD1Z0, IRFD1Z1, IRFD1Z2, IRFD1Z3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD1Z1 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z2 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z3 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A)
IRFD224 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFD1Z1 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z2 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z3 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR 制造商:Harris Corporation 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:
IRFD210 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFD210PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 0.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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