- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄381955 > IRFD122 (Harris Corporation) 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFD122 |
| 廠商： | Harris Corporation |
| 英文描述： | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 1.3a規(guī)范，以及1.1A的，80V和100V，0.30和0.40 Ohm的N通道功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 360K |
| 代理商： | IRFD122 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD123 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFP130 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP131 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP132 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRFP133 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD122R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD123 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD123PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD123R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1.1A I(D) | TO-250VAR |
| IRFD1Z0 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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