參數(shù)資料
型號： IRFD110
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.54ohm, Id=1.0A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）\u003d 0.54ohm，身份證\u003d 1.0安培）
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： IRFD110
4-273
FIGURE 11. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 12. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 13. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
1
2
3
4
0.8
1.5
2.4
3.2
4.0
5
0
T
J
= -55
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0.6
1.0
1.4
1.6
0.2
0.1
1.0
2
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
10
0.4
1.2
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
5
5
2
1.8
2.0
0.8
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
G
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
4
6
10
5
15
20
I
D
= 1A
10
0
2
8
V
DS
= 80V
V
DS
= 50V
V
DS
= 20V
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
IRFD110
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFD1Z0 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z1 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z2 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD1Z3 0.4A and 0.5A, 60V and 100V, 2.4 and 3.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFD214 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=2.0ohm, Id=0.45A)
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參數(shù)描述
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IRFD110PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRFD110R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-250VAR
IRFD110U 制造商:n/a 功能描述:IRFD110U LOC: N9B9B
IRFD111 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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