參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBC30A
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）最大值\u003d 2.2ohm，身份證\u003d 3.6A）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 101K
代理商： IRFBC30A
IRFBC30A
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature( C)
E
A
BOTTOM
ID
1.6A
2.3A
3.6A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
IAV , Avalanche Current ( A)
640
660
680
700
720
740
VD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBC30S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
IRFBC40L CAP CER 1500PF 100V 20% X7R 0603
IRFBC40S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
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參數(shù)描述
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IRFBC30APBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30AS 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC30ASPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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