參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBC20L
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 600V電壓的Rds（on）\u003d 4.4ohm，身份證\u003d 2.2a在）
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大小： 355K
代理商： IRFBC20L
IRFBC20S/L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFBC20S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)
IRFBC30A Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=2.2ohm, Id=3.6A)
IRFBC30S Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=2.2ohm, Id=3.6A)
IRFBC40L CAP CER 1500PF 100V 20% X7R 0603
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFBC20LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20S 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC20S/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRFBC20SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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