參數(shù)資料
型號(hào)： IRFBA90N20D
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.023ohm, Id=98A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）最大值\u003d 0.023ohm，身份證\u003d第98A）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： IRFBA90N20D
IRFBA90N20D
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
41
–––
–––
160
–––
45
–––
75
–––
23
–––
160
–––
39
–––
77
–––
6080
–––
–––
1040
–––
–––
150
–––
7500
–––
–––
410
–––
790
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 59A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
240 I
D
= 59A
67
nC
110
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 59A
R
G
= 1.2
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
–––
pF
–––
–––
Dynamic @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
960
59
65
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 59A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 59A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
220
1.9
1.5
340
2.8
V
nS
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
98
390
A
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.22
–––
V/
°
C Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Min. Typ. Max. Units
200
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
0.023
–––
–––
–––
–––
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 59A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
5.0
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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