參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB59N10
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 100V的，的Rds（on）最大值\u003d 0.025ohm，身份證\u003d 59A條）
文件頁(yè)數(shù)： 10/11頁(yè)
文件大?。?/td> 138K
代理商： IRFB59N10
IRFB/IRFS/IRFSL59N10D
10
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFS59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFSL59N10D Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFB61N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A)
IRFB9N60 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB59N10D 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRFB59N10DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 59A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFB59N10DPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB61N15D 制造商:International Rectifier 功能描述:60 A, 150 V, 0.032 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRFB61N15DHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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