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參數(shù)資料
| 型號： | IRFB4215 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | IRFB4215 |
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
tp
V
(BR)DSS
I
AS
!"
#$
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP
12A
18A
BOTTOM
85A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFB4410 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFS4410 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFSL4410 | HEXFET Power MOSFET |
| IRFB59N10 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
| IRFB59N10D | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFB4215PBF | 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 113.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB4227PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 65A 26mOhm 70nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB4228PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFB4228PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 150V 83A TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N CH, 150V, 83A, TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| IRFB4229PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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