參數(shù)資料
型號(hào)： IRFB16N60L
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開(kāi)關(guān)電源
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 149K
代理商： IRFB16N60L
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See Fig. 12)
Starting T
J
= 25°C, L = 2.5mH, R
G
= 25
,
I
AS
= 16A.(See Figure 14a)
I
SD
≤
16A, di/dt
≤
650A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C.
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
C
oss
eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
.
C
oss
eff.(ER) is a fixed capacitance that stores the same energy
as C
oss
while V
DS
is rising from 0 to 80% V
DSS
.
θ
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.39
–––
385
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.79
–––
–––
460
5.0
50
2.0
100
-100
–––
V
V/°C
m
V
μA
mA
nA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Internal Gate Resistance
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
C
oss
eff. (ER)
Effective Output Capacitance
R
G
Min. Typ. Max. Units
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
20
–––
44
–––
28
–––
5.5
–––
2720
–––
260
–––
20
–––
120
–––
100
–––
100
30
46
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
ns
pF
(Energy Related)
Avalanche Characteristics
Symbol
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy.
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
Thermal Resistance
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Units
mJ
A
mJ
Parameter
Typ.
–––
–––
Units
°C/W
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
62
Max.
0.4
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
GS
= 0V,V
DS
= 0V to 480V
16
31
Max.
310
I
D
= 16A
R
G
= 1.8
V
GS
= 10V, See Fig. 11a & 11b
V
GS
= 0V
I
D
= 16A
V
DS
= 480V
V
GS
= 10V, See Fig. 7 & 15
V
DD
= 300V
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
f = 1MHz, open drain
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 9.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 9.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFB17N60K SMPS MOSFET
IRFB3207 HEXFET Power MOSFET
IRFS3207 HEXFET Power MOSFET
IRFSL3207 HEXFET Power MOSFET
IRFB33N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFB17N20D 功能描述:MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFB17N20DPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 200V 16A TO-220
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