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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRFAF50 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS |
| 中文描述： | 重復(fù)性雪崩和DV /受好評(píng)的HEXFET三極管胸苷 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/7頁(yè) |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | IRFAF50 |
www.irf.com
5
IRFAF50
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
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PDF描述 |
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| IRFB11N50A | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.52ohm, Id=11A) |
| IRFB13N50A | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.450ohm, Id=14A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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