參數(shù)資料
型號： IRF9530
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應管)
中文描述： 12 A, 100 V, 0.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 63K
代理商： IRF9530
4-13
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
0.95
0.85
0.7540
0
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
40
80
N
B
120
160
1.05
1.15
I
D
= 250
μ
A
1000
200
00
-20
-50
C
600
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
800
400
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
C
ISS
-10
-30
-40
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-4
-8
-12
-16
1
2
3
4
5
-20
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
-0.1
-1.0
-10
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-100
-0.8
-1.4
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
0
8
16
24
40
- 5
0
- 10
- 15
42
V
DS
= -80V
I
D
= -12A
V
DS
= -50V
V
DS
= -20V
IRF9530, RF1S9530SM
相關PDF資料
PDF描述
IRF9540 19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
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IRF9540 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540N Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NL Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
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參數(shù)描述
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