參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9232
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： -5.5A and -6.5A, -150V and -200V, 0.8 and 1.2 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
中文描述： 5.5 A, 200 V, 1.2 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大小： 72K
代理商： IRF9232
6-6
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
g
f
,
0
-3
-6
-9
-12
1.4
2.8
4.2
5.6
7.0
-15
T
J
= 125
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= -55
o
C
0
V
DS
> I
D(ON)
x r
DS(ON)MAX
80
μ
s PULSE TEST
-0.4
-1.0
-1.2
-1.6
-1.8
-0.6
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
-0.8
-1.4
-0.1
-1.0
-10
I
S
,
-100
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
0
-5
-10
-15
0
8
16
24
32
40
V
DS
= -160V
V
DS
= -100V
V
DS
= -40V
I
D
= -6.5A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURES 19, 20
Q
g(TOT)
, TOTAL GATE CHARGE (nC)
V
G
,
IRF9230, IRF9232
IRF9230, IRF9231, IRF9232, IRF9233
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