參數(shù)資料
型號： IRF8910
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 9/10頁
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代理商： IRF8910
www.irf.com
9
SO-8 Package Details
Dimensions are shown in millimeters (inches)
SO-8 Part Marking
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相關PDF資料
PDF描述
IRF8915 HEXFETPower MOSFET
IRF9150 -25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
IRF9510 3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET(3.0A, 100V, 1.200 Ω,P溝道功率MOS場效應管)
IRF9520 6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET(6A, 100V, 0.600 Ω, P溝道功率MOS場效應管)
IRF9530 12A, 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(12A, 100V, 0.300 Ohm,P溝道功率MOS場效應管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF8910GPBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 13.4mOhms 7.4nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8910GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 10A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8910PBF 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 50mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8910PBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Dual SO-8 MOSFET for POL converters in desktop, servers, graphics cards, game consoles and set-top box
IRF8910TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 10A 8SOIC - Tape and Reel
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