參數(shù)資料
型號： IRF833FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 2.5AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有
文件頁數(shù)： 6/10頁
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代理商： IRF833FI
IRF830AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.2A
3.2A
5.0A
TOP
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
770
775
780
785
790
0.0
1.0
I , Avalanche Current (A)
2.0
3.0
4.0
5.0
A
D
V
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相關PDF資料
PDF描述
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF830 POWER MOSFET
IRF830 4.5A, 500V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF830PBF HEXFET Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IRF833R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB
IRF840 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF840 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF840_02 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.75ヘ - 8A TO-220 PowerMesh⑩II MOSFET
IRF840_R4943 功能描述:MOSFET N-CH POWER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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