參數(shù)資料
型號(hào)： IRF831FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 3A條（丁）|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
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代理商： IRF831FI
IRF830AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.2A
3.2A
5.0A
TOP
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
770
775
780
785
790
0.0
1.0
I , Avalanche Current (A)
2.0
3.0
4.0
5.0
A
D
V
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF832FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF830 POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF831R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
IRF832 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
IRF8327STR1PBF 功能描述:MOSFET 30V N-Channel HEXFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF832FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
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