參數(shù)資料
型號(hào)： IRF830FI
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五（巴西）直| 3A條（丁）|對(duì)220VAR
文件頁(yè)數(shù)： 9/10頁(yè)
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代理商： IRF830FI
IRF830AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
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TO-262 Outline
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF831FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF832FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF833FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-220AB
IRF830 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF830 N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF830FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱(chēng):SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF830H 制造商:HAR 功能描述:IRF830 HARRIS
IRF830I-HF 制造商:A-POWER 制造商全稱(chēng):Advanced Power Electronics Corp. 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IRF830L 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF830LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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