參數(shù)資料
型號： IRF82
廠商： 意法半導體
英文描述： N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
中文描述： N通道增強型功率MOSTRANSISTORS
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 168K
代理商： IRF82
IRF820AS/L
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 150 C
°
0.1
1
10
100
10
100
1000
10000
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
10us
100us
1ms
10ms
0
4
8
12
16
0
5
10
15
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
SEE FIGURE
FOR TEST CIRCUIT
13
2.5A
V
= 100V
DS
V
= 250V
DS
V
= 400V
DS
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
10000
C
Coss
Crss
Ciss
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
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相關PDF資料
PDF描述
IRF822 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF822FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF82FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF830ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF820_R4943 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF820-220 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-220FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-251 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
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