參數(shù)資料
型號： IRF7831
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁數(shù)： 2/10頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： IRF7831
2
www.irf.com
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Β
V
DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min.
30
–––
2.5
3.0
1.35
–––
–––
–––
–––
–––
97
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.025
–––
3.1
3.6
3.7
4.4
–––
2.35
- 5.7
–––
–––
1.0
–––
150
–––
100
–––
-100
–––
–––
40
60
12
–––
3.1
–––
11
–––
14
–––
14
–––
22
–––
18
–––
10
–––
17
–––
5.3
–––
6240
–––
980
–––
390
–––
V
V/°C
m
V
GS(th)
V
GS(th)
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Avalanche Characteristics
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
See Fig. 16
nC
ns
pF
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
2.5
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
I
SM
–––
–––
170
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
42
31
1.2
62
47
V
ns
nC
Conditions
Max.
100
16
= 1.0MHz
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 16A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
MOSFET symbol
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 15V, V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
Clamped Inductive Load
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
I
D
= 16A
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
V
DS
= 15V, I
D
= 16A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
T
J
= 25°C, I
F
= 16A, V
DD
= 25V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 25°C, I
S
= 16A, V
GS
= 0V
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
Typ.
–––
–––
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
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IRF7831TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC - Tape and Reel
IRF7831TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 21A 3.6mOhm 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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