參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7807A
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： Chip-Set for DC-DC Converters
中文描述： 芯片組用于DC - DC轉(zhuǎn)換器
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： IRF7807A
IRF7807D1
2
www.irf.com
Electrical Characteristics
Parameter
Drain-to-Source
Breakdown Voltage*
Static Drain-Source
on Resistance*
Gate Threshold Voltage*
Drain-Source Leakage
Current*
Schottky Diode & Body Diode Ratings and Characteristics
*
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
300 μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
50% Duty Cycle, Rectangular
Devices are 100% tested to these parameters.
Parameter
Diode Forward Voltage
Min
Typ
Max
0.5
0.39
Units
V
Conditions
V
SD
T
j
= 25°C, I
s
= 1A, V
GS
=0V
T
j
= 125°C, I
s
= 1A, V
GS
=0V
T
j
= 25°C, I
s
= 7.0A, V
DS
= 16V
di/dt = 100A/μs
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
trr
Qrr
t
on
51
48
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Min
30
Typ
Max
Units
V
Conditions
V
(BR)DSS
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
R
DS
(on)
17
25
m
V
GS
= 4.5V, I
D
= 7A
V
GS
(th)
I
DSS
1.0
V
μ
A
mA
V
DS
= V
GS
,I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V,
T
j
= 125°C
90
7.2
Gate-Source Leakage
Current*
Total Gate Charge
Synch FET*
Total Gate Charge
Control FET*
Pre-Vth
Gate-Source Charge
Post-Vth
Gate-Source Charge
Gate to Drain Charge
Switch Charge*
(Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge*
Gate Resistance
I
GSS
+/- 100
nA
V
GS
= +/-12V
Q
gsync
10.5
14
V
DS
<100mV,
V
GS
= 5V, I
D
= 7A
V
DS
= 16V,
V
GS
= 5V, I
D
= 7A
V
DS
= 16V, I
D
= 7A
Q
gcont
12
17
Q
gs1
2.1
Q
gs2
0.76
nC
Q
gd
Q
SW
2.9
3.66
5.2
Q
oss
R
g
15.3
1.2
18.4
V
DS
= 16V, V
GS
= 0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7807D2 MOSFET / SCHOTTKY DIODE
IRF7831 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
IRF8113 Power MOSFET
IRF830A HEXFET Power MOSFET
IRF830 TMOS Power FET N-Channel Enhancement Mode(TMOS N-溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7807AHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC
IRF7807APBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807ATR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7807ATRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 6.6A 25mOhm 12nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7807D1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:MOSFET / SCHOTTKY DIODE
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