參數(shù)資料
型號： IRF7756
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 4.3A I(D) | TSOP
中文描述： 晶體管| MOSFET的|配對| P通道| 12V的五（巴西）直| 4.3AI（四）|的TSOP
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代理商： IRF7756
IRF7756
www.irf.com
7
Fig 14.
Threshold Voltage Vs. Tempera-
ture
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
-G
ID = -250μA
Fig 15.
Typical Power Vs. Time
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
100.000
Time (sec)
0
20
40
60
80
P
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF7756TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7756TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 3.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7757 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF7757GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET Ultra Low On-Resistance
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