參數(shù)資料
型號： IRF7523D1
廠商： International Rectifier
英文描述： FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
中文描述： FETKY⑩MOSFET的/肖特基二極管（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）\u003d0.11Ω的，肖特基室顫\u003d 0.39V）
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大小： 204K
代理商： IRF7523D1
IRF7523D1
www.irf.com
7
Micro8
TM
Package Details
Part Marking
INCHES MILLIMETERS
MIN MAX MIN MAX
A
0.10 (.004)
0.25 (.010) M A M
H
1 2 3 4
8 7 6 5
D
- B -
3
3
E
- A -
e
6X
e 1
- C -
B 8X
0.08 (.003) M C A S B S
A 1
L
8X
C
8X
θ
NO TES:
1 DIMENSIO NING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M -1982.
2 CONTRO LLING DIMENSIO N : INCH.
3 DIMENSIO NS DO NO T INCLUDE M OLD FLAS H.
A .036 .044 0.91 1.11
A1 .004 .008 0.10 0.20
B .010 .014 0.25 0.36
C .005 .007 0.13 0.18
D .116 .120 2.95 3.05
e .0256 BASIC 0.65 BASIC
e1 .0128 BASIC 0.33 BASIC
E .116 .120 2.95 3.05
H .188 .198 4.78 5.03
L .016 .026 0.41 0.66
θ
0° 6° 0° 6°
DIM
LEAD ASSIGNMENTS
SINGLE
DUAL
D D D D
D1 D1 D2 D2
S S S G
S1 G1 S2 G2
1 2 3 4
1 2 3 4
8 7 6 5
8 7 6 5
RECOMMENDED FOOTPRINT
1.04
( .041 )
8X
0.38
3.20
( .126 )
4.24
( .167 )
5.28
( .208 )
0.65
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7526D1 FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7805ZPbF HEXFET POWER MOSFET
IRF7805 Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7805A Chip-Set for DC-DC Converters
IRF7807D1 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT08; Number of Contacts:12; Connector Shell Size:14; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Right Angle Plug
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參數(shù)描述
IRF7523D1PBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7523D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7523D1TRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7524D1 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
IRF7524D1GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:FETKY MOSFET & Schottky Diode
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