參數(shù)資料
型號： IRF7492PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 193K
代理商： IRF7492PBF
IRF7492PbF
4
www.irf.com
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
T = 25 C
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0
10
20
30
40
50
QG Total Gate Charge (nC)
0
2
4
6
8
10
12
VG
VDS= 160V
VDS= 100V
VDS= 40V
ID= 2.2A
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
ID
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100μsec
相關PDF資料
PDF描述
IRF7492 HEXFET Power MOSFET
IRF7493 HEXFET Power MOSFET
IRF7494 HEXFET Power MOSFET
IRF7506PBF HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm)
IRF7509PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRF7492TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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IRF7493TR 功能描述:MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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