參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7492
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 105K
代理商： IRF7492
IRF7492
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
7.9
–––
–––
39
–––
9.2
–––
15
–––
15
–––
13
–––
27
–––
14
–––
1820
–––
190
–––
94
–––
780
–––
89
–––
150
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 3.7A
I
D
= 2.2A
V
DS
= 100V
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 2.2A
R
G
= 6.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
130
4.4
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.2A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.2A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
69
200
1.3
100
310
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.3
30
A
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
BV
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.20 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2.5
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Min. Typ. Max. Units
200
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
64
–––
–––
–––
–––
–––
79
–––
1.0
250
100
-100
m
V
V
GS
= 10V, I
D
= 2.2A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
μA
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF7494 HEXFET Power MOSFET
IRF7506PBF HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm)
IRF7509PBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7509TR Power MOSFET(Vdss=+-30V)
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參數(shù)描述
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IRF7492TR 功能描述:MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7492TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 3.7A 79mOhm 39nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7493 制造商:International Rectifier 功能描述: 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC
IRF7493PBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 31nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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