參數(shù)資料
型號： IRF7477
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 213K
代理商： IRF7477
IRF7477
2
www.irf.com
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 11A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 11A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 11A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.80
0.65
91
130
90
140
1.3
–––
140
200
140
210
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
500
8.2
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
S
D
G
Diode Characteristics
2.3
110
A
Min. Typ. Max. Units
35
–––
–––
25 38 I
D
= 11A
–––
6.5
–––
–––
8.2
–––
–––
30
–––
–––
12
–––
–––
9.8
–––
–––
19
–––
–––
5.9
–––
–––
2710
–––
–––
1120
–––
–––
100
–––
Conditions
V
DS
= 15V, I
D
= 11A
–––
S
nC
V
DS
= 15V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
DD
= 15V
I
D
= 11A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.029 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
6.5
7.7
–––
–––
–––
–––
–––
8.5
10
2.5
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 14A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 11A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
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PDF描述
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IRF7477TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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