參數(shù)資料
型號： IRF7468PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 8/8頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： IRF7468PBF
IRF7468PbF
SO-8 Tape and Reel
Dimensions are shown in millimeters (inches)
8
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 5.0mH
R
G
= 25
, I
AS
= 8.0A.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIRECTION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Consumer market.
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233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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08/04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7469PBF SMPS MOSFET
IRF7477PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7477 SMPS MOSFET
IRF7478PBF SMPS MOSFET
IRF7484Q AUTOMOTIVE MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7468TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7468TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
IRF7468TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 9A 15.5mOhm 23nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7469 功能描述:MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7469PBF 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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