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參數(shù)資料
| 型號： | IRF7466 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Id=11A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，身份證\u003d 11A條） |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 233K |
| 代理商： | IRF7466 |
IRF7466
8
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Starting T
J
= 25°C, L = 5.9mH
R
G
= 25
, I
AS
= 8.8A.
Notes:
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
330.00
(12.992)
MAX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOTES :
1. CO NTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
FEED DIRECTION
TERMINAL NUMBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOW N IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
SO-8 Tape and Reel
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
Visit us at www.irf.com for sales contact information
.
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7467PBF | SMPS MOSFET |
| IRF7467 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=11A) |
| IRF7468 | Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.4A) |
| IRF7469 | Power MOSFET(Vdss=40V, Id=9.0A) |
| IRF7470 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)max=13mohm, Id=10A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF7466PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 15mOhms 16nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7466TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF7466TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 16nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7466TRPBF-BLK | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC - Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:International Rectifier IRF7466TRPBF-BLK MOSFETs |
| IRF7467 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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