參數(shù)資料
型號： IRF7460PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 190K
代理商： IRF7460PBF
IRF7460PbF
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Min. Typ. Max. Units
26
–––
–––
19
–––
6.9
–––
6.0
–––
17
–––
11
–––
6.9
–––
12
–––
4.3
–––
2050 –––
–––
1060 –––
–––
150
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 9.6A
–––
––– I
D
= 9.6A
–––
nC
–––
26
–––
–––
–––
–––
S
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V,
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 9.6A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
–––
pF
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.089 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
7.2
10.5
–––
–––
–––
–––
–––
10
14
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.6A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 9.6A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
0.66
44
60
44
64
1.3
–––
66
90
66
96
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
2.3
100
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
240
9.6
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
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IRF7460TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7463 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7463HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin SOIC
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