參數(shù)資料
型號： IRF7460
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Id=12A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，身份證\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 121K
代理商： IRF7460
IRF7460
2
www.irf.com
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
g
fs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Q
oss
Output Gate Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
ns
S
D
G
Diode Characteristics
Symbol
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
I
SM
Pulsed Source Current
(Body Diode)
A
Min. Typ. Max. Units
26
–––
–––
19
–––
6.9
–––
6.0
–––
17
–––
11
–––
6.9
–––
12
–––
4.3
–––
2050
–––
1060
–––
150
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 9.6A
–––
––– I
D
= 9.6A
–––
nC
–––
26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
S
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V,
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V
I
D
= 9.6A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
V
SD
Diode Forward Voltage
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.089 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
1.0
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
7.2
10.5
–––
–––
–––
–––
–––
10
14
3.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
V
μA
nA
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
m
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.6A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 9.6A, V
R
=10V
di/dt = 100A/μs
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
0.66
44
60
44
64
1.3
–––
66
90
66
96
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
2.3
100
Symbol
E
AS
I
AR
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
240
9.6
Units
mJ
A
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Avalanche Characteristics
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PDF描述
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IRF7460TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 12A 8-Pin SOIC T/R
IRF7460TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 10A 10mOhm 19nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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