參數(shù)資料
型號： IRF7459
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=9.0mohm, Id=12A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 20V的，的Rds（on）最大值\u003d 9.0mohm，身份證\u003d 12A條）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 112K
代理商： IRF7459
IRF7459
2
www.irf.com
Symbol
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Avalanche Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
32
–––
––– 23 35 I
D
= 9.6A
–––
6.6
10
–––
6.3
9.5
–––
17
26
–––
10
–––
–––
4.5
–––
–––
20
–––
–––
5.0
–––
–––
2480 –––
–––
1030 –––
–––
130
–––
Conditions
V
DS
= 16V, I
D
= 9.6A
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V, V
DS
= 10V
V
DD
= 10V,
I
D
= 9.6A
R
G
= 1.8
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
= 1.0MHz
pF
Symbol
I
S
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 125°C, I
S
= 9.6A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 9.6A, V
R
= 15V
di/dt = 100A/μs
T
J
= 125°C, I
F
= 9.6A, V
R
=15V
di/dt = 100A/μs
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
I
SM
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.84
0.69
70
70
70
75
1.3
–––
105
105
105
113
V
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
ns
nC
ns
nC
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
290
12
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.024 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
–––
–––
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
6.7
8.0
11
–––
–––
–––
–––
–––
9.0
11
22
2.0
20
100
200
-200
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 9.6A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 6.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
m
V
μA
nA
S
D
G
Diode Characteristics
2.5
100
A
V
SD
Diode Forward Voltage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
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PDF描述
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