參數(shù)資料
型號： IRF7456PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： IRF7456PBF
IRF7456PbF
2
www.irf.com
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.5A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
48
74
1.2
72
110
V
ns
nC
Diode Characteristics
2.5
130
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
250
16
0.25
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
44
–––
–––
41
–––
9.7
–––
18
–––
20
–––
25
–––
50
–––
52
–––
3640 –––
–––
1570 –––
–––
330
Conditions
V
DS
= 10V, I
D
= 16A
I
D
= 16A
V
DS
= 16V
V
GS
= 5.0V,
V
DD
= 10V
I
D
= 1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 15V
= 1.0MHz
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
62
15
27
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
––– 0.024 ––– V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
––– 0.00470.0065
––– 0.00570.0075
–––
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
0.6
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
–––
Gate-to-Source Reverse Leakage
–––
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Min. Typ. Max. Units
20
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
–––
V
V
GS
= 10V, I
D
= 16A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 13A
V
GS
= 2.8V, I
D
= 3.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
0.011 0.020
–––
–––
–––
–––
–––
2.0
20
100
200
-200
V
μA
nA
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