參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7453
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=250V, Id=2.2A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 250V，身份證\u003d 2.2a在）
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 220K
代理商： IRF7453
IRF7453
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
5.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
°
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
5.0V
0.1
1
10
100
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
2.2A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7455PBF HEXFET Power MOSFET
IRF7455 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=0.0071ohm,Id=15A)
IRF7456 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=0.0065ohm, Id=16A)
IRF7457 Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=7.0mohm, Id=15A)
IRF7458 Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A)
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參數(shù)描述
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IRF7453TR 功能描述:MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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IRF7455HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC - Rail/Tube
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