參數(shù)資料
型號: IRF7425PBF
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù): 2/9頁
文件大?。?/td> 162K
代理商: IRF7425PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
120
160
-1.2
180
240
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
60
2.5
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
400μs; duty cycle
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-20
–––
––– 0.010 –––
–––
–––
–––
–––
-0.45 –––
44
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
87
–––
18
–––
21
–––
13
–––
20
–––
230
–––
160
––– 7980
––– 1480
–––
980
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -15A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -15A
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -12V
V
GS
= 12V
I
D
= -15A
V
DS
= -10V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0kHz
V/°C
8.2
13
-1.2
–––
-1.0
-25
-100
100
130
27
32
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Surface mounted on 1 in square Cu board, t
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PDF描述
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IRF7452PBF HEXFET Power MOSFET
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IRF7426TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF742FI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB