參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7421D1PBF
廠商： International Rectifier
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
文件大小： 232K
代理商： IRF7421D1PBF
IRF7421D1PbF
www.irf.com
7
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
EXAMPLE: THIS IS AN IRF7807D1 (FETKY)
XXXX
807D1
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
WW = WEEK
A = ASSEMBLY SITE CODE
LOT CODE
PRODUCT (OPTIONAL)
P = DISGNATES LEAD - FREE
DATE CODE (YWW)
PART NUMBER
e1
H
K
L
D
E
e
y
b
c
A
A1
.189
.1497
.050 BASIC
.025 BASIC
0°
.013
.0075
.0532
.0040
.2284
.0099
.016
.1968
.1574
8°
.020
.0098
.0688
.0098
.2440
.0196
.050
4.80
3.80
1.27 BASIC
0.635 BASIC
0.33
0.19
1.35
0.10
5.80
0.25
0.40
0°
5.00
4.00
0.51
0.25
1.75
0.25
6.20
0.50
1.27
8°
MIN
MAX
MILLIMETERS
MIN
INCHES
MAX
DIM
8
7
5
6
5
D
B
E
A
e
6X
H
0.25 [.010]
A
6
7
K x 45°
8X L
8X c
y
0.25 [.010]
C A B
e1
A
A1
8X b
C
0.10 [.004]
4
3
1
2
FOOTPRINT
8X 0.72 [.028]
6.46 [.255]
3X 1.27 [.050]
4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA.
5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006].
NOTES:
1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER
3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES].
6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS.
MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010].
7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO
A SUBSTRATE.
8X 1.78 [.070]
SO-8 (Fetky) Package Outline
SO-8 (Fetky) Part Marking Information
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7433PBF HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7451 Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.09ohm, Id=3.6A)
IRF7452QPBF HEXFET Power MOSFET
IRF7452 Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.060ohm, Id=4.5A)
IRF7453PBF HEXFET㈢Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7421D1TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:FETKY™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7421D1TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 5.8A 35mOhm 18nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7422D2 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P FETKY SO-8
IRF7422D2HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC - Rail/Tube
IRF7422D2PBF 功能描述:MOSFET 20V FETKY 12 VGS 140 RDS 2.7VmOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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