參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7403
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET
中文描述： 功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： IRF7403
IRF7403
Parameter
Min. Typ. Max. Units
30
–––
––– 0.024 –––
–––
––– 0.022
–––
––– 0.035
1.0
–––
8.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
10
–––
37
–––
42
–––
40
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 4.0A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 3.4A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 15V, I
D
= 4.0A
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 4.0A
V
DS
= 24V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 12
V
DD
= 15V
I
D
= 4.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 3.7
,
See Fig. 10
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
1.0
25
100
-100
57
6.8
18
–––
–––
–––
–––
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
Between lead tip
and center of die contact
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 1200 –––
–––
450
–––
160
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
–––
–––
pF
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 4.0A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
52
93
1.0
78
140
V
ns
nC
I
SD
≤
4.0A, di/dt
≤
180A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
150°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Source-Drain Ratings and Characteristics
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
–––
–––
34
–––
–––
3.1
A
S
D
G
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
L
S
Internal Source Inductance
–––
4.0
–––
L
D
Internal Drain Inductance
–––
2.5
–––
nH
ns
nA
μA
R
DS(ON)
Static Drain-to-Source On-Resistance
S
D
G
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
10sec.
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PDF描述
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IRF7403TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
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