參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7380QPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET㈢Power MOSFET
中文描述： ㈢的HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 233K
代理商： IRF7380QPBF
IRF7380QPbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
ID
1.0A
1.8A
2.2A
TOP
BOTTOM
0
5
10
15
20
25
30
ID , Drain Current (A)
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
RD
)
VGS = 10V
3.0
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
RD
)
ID = 3.6A
Starting T
J
, Junction Temperature (°C)
E
A
,
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