參數(shù)資料
型號： IRF7380
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： High frequency DC-DC converters
中文描述： 高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 508K
代理商： IRF7380
IRF7380
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
80
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.09
–––
61
73
–––
4.0
–––
20
–––
250
–––
200
–––
-200
V
V/°C
m
V
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Min.
4.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
15
23
2.9
–––
4.5
–––
9.0
–––
10
–––
41
–––
17
–––
660
–––
110
–––
15
–––
710
–––
72
–––
140
–––
S
nC
ns
pF
Avalanche Characteristics
Parameter
Units
mJ
A
E
AS
I
AR
Single Pulse Avalanche Energy
dh
Avalanche Current
c
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
3.6
A
(Body Diode)
Pulsed Source Current
I
SM
–––
–––
29
A
(Body Diode)
ch
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
50
110
1.3
–––
–––
V
ns
nC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
Typ.
–––
–––
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 2.2A
I
D
= 2.2A
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V
f
V
DD
= 40V
I
D
= 2.2A
R
G
= 24
Conditions
V
GS
= 10V
f
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 64V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 64V
g
75
2.2
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.2A, V
GS
= 0V
f
T
J
= 25°C, I
F
= 2.2A, V
DD
= 40V
di/dt = 100A/μs
f
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 2.2A
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Max.
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PDF描述
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IRF7380PBF_08 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:High frequency DC-DC converters Lead-Free
IRF7380QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7380QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance
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